简单聊一下3DDRAM，文章比较长，不愿意看的看个开头知道这是什么东西就好了

3D DRAM是AI时代确定性技术路径，具备大带宽、低功耗、高灵活性等特点，可以简单粗暴的理解为3D DRAM几乎满足了AI时代对存储的所有核心需求。而且它的技术逻辑很清晰：基于10纳米节点，通过垂直堆叠DRAM单元实现高密度，无需进一步缩小晶体管尺寸。

这意味着传统路径上对EUV光刻机的依赖可以被大幅降低！懂这个技术的含金量了吧

传统 DRAM 的存储单元采用平坦化设计，这一结构极大地限制了存储密度的提升。而 3D DRAM 通过垂直堆叠存储层的创新方式，能够在相同的空间占用范围内集成更多的存储单元，从而在不增加芯片面积的前提下，显著提高存储容量。

随着 DRAM 制程工艺的不断缩小，电流泄漏、信号干扰等问题愈发严重，尤其是 16nm 以下的 DRAM 制造，面临着巨大的技术挑战。3D DRAM 借助垂直堆叠存储单元的独特架构，实现了对有限面积的高效利用，有效缓解了制程微缩带来的困境。

去年海力士业绩说明会侧面印证了未来EUV光刻机不一定再会是芯片的必需品，公司正在开发3D dram，通过垂直堆叠，无需再进一步缩小晶体管尺寸。

3D DRAM技术基于10纳米节点。相比传统路径，3D DRAM通过垂直堆叠DRAM单元实现高密度，而无需进一步缩小尺寸。

3D dram必然是所有未来soc 主流，目前看不到别的发展路径，满大街的soc和asic厂商都在研究定制化存储，发哥去年的9500上了类似存算一体的技术，其实就是3D dram的落地，这一点我去年说过了，具体看图二就好了

国内芯原股份，翱捷科技，瑞芯微，晶晨，甚至米乃至国外的高通都计划今年或者明年推出基于此的云端ASIC/SOC，H今天发布的东西也是这一原理下的产物。当然，这也少不了中芯国际的功劳

更为关键的是，3D dram算是一开始中国大陆就领先的AI相关技术，这非常稀有，我们从起跑线就领先的技术太少太少了

说起原因也是非常无奈，甚至有些好笑。因为之前海外那些存储厂进口美国设备不受限制，没有花太多精力在3D结构的研究上，但是国內因为之前半导体设备制程受限。一直在研究存储的3D结构化，带来的就是技术研究和产业化领先了。

这下真是特朗普的恩情还不完了

三星海力士更是直接购买使用长江存储的“混合键合”专利，因为三星判断是几乎不可能在开发V10、V11和V12等下一代NAND时避开长江存储的专利。

长江存储被认为是第一家将混合键合专利应用于3D NAND的公司，长江存储称其为“Xtacking”。可以说，所有与混合键合相关的技术专利大部分由Xperi、长江存储和台积电持有，正是基于该技术，长江存储在美国起诉了美光公司，不过目前好笑还没有什么结果

未来在算卡端，3D DRAM提供了一条绕开制裁的可行路径——通过堆叠方式，利用制程不是最先进存储颗粒，达到接近甚至等效的性能效果。

更重要的是，3D DRAM是一种高度定制化的工艺，更接近先进逻辑芯片的设计思路，而非传统存储那样的标准品。这种"非标"属性，天然适合差异化竞争