半导体前道材料（晶圆制造）七大核心环节全景梳理

前道材料占半导体材料市场约70%，是芯片制造的基石。七大核心环节国产化率与厂商格局如下：

🔹 硅片（基底材料）

- 作用：晶圆制造的基础衬底，支撑光刻、蚀刻等工艺。- 格局：全球CR5超90%（信越化学、SUMCO等）；国内头部：沪硅产业、立昂微、有研硅。

🔹 掩模版（光罩）

- 作用：光刻工艺的图形转移母版。- 格局：全球CR5超95%（Photronics、Toppan等）；国内头部：聚和材料、路维光电、清溢光电。

🔹 光刻胶

- 作用：光刻中的感光介质，实现图形转移。- 格局：全球CR5超90%（JSR、东京应化等）；国内头部：南大光电、上海新阳、晶瑞电材、彤程新材。

🔹 湿电子化学品

- 作用：超净高纯试剂，用于清洗、蚀刻、显影。- 格局：全球CR5超80%（关东化学、巴斯夫等）；国内头部：中巨芯、格林达、江化微。

🔹 抛光材料（CMP）

- 作用：化学机械抛光，实现表面纳米级平整。- 格局：全球高度集中（陶氏、卡博特等）；国内头部：鼎龙股份（垫）、安集科技（液）。

🔹 电子特气

- 作用：蚀刻、沉积、掺杂等工艺的高纯气体。- 格局：全球CR4超80%（林德、液空等）；国内头部：中船特气、华特气体、雅克科技、金宏气体。

🔹 靶材

- 作用：PVD工艺中的溅射源，形成薄膜。- 格局：全球CR5超80%（日矿金属、东曹等）；国内头部：江丰电子、有研新材、欧莱新材。

本文基于公开资料整理，仅做行业交流，不构成投资建议。市场有风险，决策需谨慎。