存存储:预计 2026 年 Q1将为 存储价格增长率最高季度
核心驱动因素:
1.2026年1月2日，美国存储半导体股票大幅上涨
美光科技(MicronTechnology):+10.51%，创历史新高
闪迪(SanDisk):+15.95%0
西部数据(Western Digital):+8.96%
2.2026年1月5日盘后，市场消息称三星电子与 SK海力士 计划将服务器 DRAM(DDR4/DDR5、CXL、HBM)价格上调，最高可达 70%。最高涨幅预期:
根据 TrendForce 数据，2026年 Q1 预计将出现最强劲的存储价格上涨
通用型 DRAM:环比+55%至+60%
PC DRAM:+50%至+55%
服务器 DRAM:+60%至+65%
移动 DRAM:+45%至+50%
NAND:+33%至+38%
LPDDR5:+45%至+50%(以上均高于此前预测)
服务器 DRAM:
包括 DDR4/DDR5、CXL及 HBM，当前市场份额如下
三星电子:约 45%-50%
SK海力士:约 30%(为英伟达独家 HBM 供应商)
美光科技:约 20%-25%(已获得英伟达认证的 HBM3e)